Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография
Сысоев И. А., Лунин Л. С.
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV . Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Tahun:
2015
Penerbit:
ЭБС Лань
Bahasa:
russian
ISBN 10:
5929607850
ISBN 13:
9785929607851
File:
PDF, 2.39 MB
IPFS:
,
russian, 2015