Sumbangan 15 September 2024 – 1 Oktober 2024 Tentang pengumpulan dana

Методы исследования реальной структуры и состава...

Main
Методы исследования реальной структуры...

Методы исследования реальной структуры и состава материалов: Учебно- методический комплекс дисциплины.

Э.В. Суворов

0 / 5.0

Sukakah Anda buku ini?

Bagaimana kualitas file yang diunduh?

Unduh buku untuk menilai kualitasnya

Bagaimana kualitas file yang diunduh?

Tahun:

2010

Penerbit:

МИСиС

Bahasa:

russian

File:

PDF, 7.21 MB

IPFS:

,

russian, 2010

Membaca daring

Pengubahan menjadi sedang diproses

Pengubahan menjadi gagal

Mungkin Anda tertarik

Асланов Л.А., Треушников Е.Н. — Основы теории дифракции рентгеновских лучей.

Гласкер Дж. — Анализ кристаллической структуры

Утевский Л. — Дифракционная электронная микроскопия в металловедении

Деркач В. — Электроннозондовые устройства

Тартаковский П. — Экспериментальные основания волновой теории материи

Э.В. Суворов — Физические основы экспериментальных методов исследования реальной структуры кристаллов : учеб. пособие.

Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. — Теория рассеяния рентгеновских лучей

Суворов Э. В. — Физические основы экспериментальных методов исследования реальной структуры кристаллов: учеб. пособие

Иванов А.Н., Поляков А.М. — Анализ несовершенств кристаллического строения по профилю и интенсивности рентгеновских отражений: Учебное пособие для студентов специальности 0709.00 и направлений 5104.3 и 5104.11

Суворов Э. В. — Физические основы экспериментальных методов исследования реальной структуры кристаллов: учеб. пособие

Петров М.П., и др. — Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации

Уманский Я. С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. — Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия

Амелкинс С. — Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении.

Уманский Я.С. — Рентгенография металлов

П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан — Электронная микроскопия тонких кристаллов

Хейденрайх Р. — Основы просвечивающей электронной микроскопии

Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. — Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов

Серба П.В., Мирошниченко С.П. — Способы контроля параметров микроструктуры методами дифракционного анализа

Асланов Л.А., Треушников Е.Н. — Основы теории дифракции рентгеновских лучей

Пинес Б.Я. — Лекции по структурному анализу

Векилова Г.В., Иванов А.Н. — Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. Часть 3

Бублик В.Т., Дубровина А.Н. — Сборник задач и упражнений по курсу ’’Методы исследования структуры

Гласкер Дж., Трублад К. — Анализ кристаллической структуры

Чупрунов Е.В., Фаддеев М.А., Алексеев Е.В. — Рентгеновские методы исследования твёрдых тел

Батаев А.А., Батаев В.А. и др. — Физические методы контроля качества материалов

Андронов А.Н. — Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ)

Морозова Н.К. — Кристаллография и методы исследования структур

Вайнштейн Б.К. — Электронная микроскопия атомного разрешения

Заблоцкий А.В., Тимофеев А.А., Коростылёв Е.В., Кузьмин А.А. — Электронная микроскопия в нанодиагностике

сост. : Ю. В. Герасимова, А. Е. Бурученко, А. К. Москалев. — Общая физика. Методические указания по выполнению курсовой работы

Коллектив авторов — Рентгенография и электронная микроскопия

Коллектив авторов — Методы структурного анализа и контроль качества изделий

Каули Дж. (J.M.Cowley) — Физика дифракции

Каули Дж. — Физика дифракции

Гоулдстейн Дж. (Goldstein J.), и др. — Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ:

Istilah kunci

электронов

рассеяния

изображения

поверхности

кристалла

изображение

дислокации

исследования

рентгеновских

контраста

плоскости

дислокаций

излучения

интенсивности

кристаллов

структуры

дефектов

разрешения

взаимодействия

рентгеновского

контраст

дифракции

отражения

высокого

поглощения

электроны

кристалл

электронной

интенсивность

кристаллической

название

результате

рассеяние

выражение

определяется

следовательно

микроскопии

вторичных